在生活中我們無意間會(huì)運(yùn)用到很多工業(yè)產(chǎn)品，比如我們車輛用到的閘輪和剎車片都有鉬靶材的材料，鉬在我很多地方都有礦廠在采集，它也是我們?nèi)梭w和動(dòng)物必不可少的微量元素，現(xiàn)在社會(huì)的發(fā)展，工業(yè)的發(fā)達(dá)，利用鉬這種過度元素越來越多；鉬靶材就是鉬的變身，它可分為很多種例如：寬幅鉬靶材，平面鉬靶，旋轉(zhuǎn)鉬靶材，鉬靶材，鉬合金靶等。凱澤金屬結(jié)合多年的不同金屬靶材深加工經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合相關(guān)資料，將各類鉬靶材的應(yīng)用，分享如下：

一、寬幅鉬靶材的構(gòu)成情況及用途：

1、寬幅鉬靶材又叫超寬高純鉬靶是AMOLED面板生產(chǎn)中的關(guān)鍵原材料之，該公司的新產(chǎn)品是適用于TFT-LCD/AMOLED的超寬高純高密鉬平面濺射靶材，主要應(yīng)用于G2.5-G6代TFT-LCD/AMOLED，填補(bǔ)了內(nèi)寬幅鉬靶(1800mm)空白，對(duì)公司未來的市場拓展、業(yè)績成長產(chǎn)生重要影響。

2、濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，般要求：尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。

3、磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式，相比于蒸發(fā)鍍膜方式，其在很多方面有相當(dāng)明顯的優(yōu)勢。作為項(xiàng)已經(jīng)發(fā)展的較為成熟的技術(shù)，磁控濺射已經(jīng)被應(yīng)用于許多域。

4、濺射技術(shù)，濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、太陽能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。

5、濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

6、濺射靶材根據(jù)形狀可分為方靶，圓靶，異型靶，根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材，根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等，根據(jù)應(yīng)用域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電靶材、封裝靶材、其他靶材，磁控濺射原理：在被濺射的靶(陰)與陽之間加個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有定的負(fù)高壓，從靶發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

7、磁控濺射鍍膜靶材：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。

二、旋轉(zhuǎn)鉬靶材的構(gòu)成情況：

1、旋轉(zhuǎn)靶材是磁控的靶材。靶材做成圓筒型的，里面裝有靜止不動(dòng)的磁體，以慢速轉(zhuǎn)動(dòng)。

2、濺射靶材用于磁控濺射鍍膜，濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜(PVD)方式。

3、在被濺射的靶(陰)與陽之間加個(gè)正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子， 靶上加有定的負(fù)高壓，從靶發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面， 以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。

4、旋轉(zhuǎn)靶材用途，太陽能電池，建筑玻璃，汽車玻璃，半導(dǎo)體，平板電視等。

三、鉬靶材的應(yīng)用：

1、鉬靶：密度10.2克/立方厘米。熔點(diǎn)2610℃。沸點(diǎn)5560℃。

2、鉬靶材純度：99.9% ，99.99%

3、規(guī)格：圓形靶，板靶，旋轉(zhuǎn)靶

4、鉬靶材廣泛用于導(dǎo)電玻璃、STN/TN/TFT-LCD、光學(xué)玻璃、離子鍍膜等行業(yè)，適用所有平面鍍膜及旋轉(zhuǎn)鍍膜系統(tǒng)。

5、純度：純鉬≥99.95%，高溫鉬≥99%（添加稀土元素）

6、密度：≥10.2g/cm3

7、熔點(diǎn)：2610℃

8、供貨狀態(tài)：成品態(tài)

9、規(guī)格：根據(jù)客戶要求定制

10、生產(chǎn)工藝流程：鉬坯(原材料)-檢驗(yàn)-熱軋--堿洗-冷軋-校平-機(jī)械加工-檢驗(yàn)-包裝

11、鉬材料適用環(huán)境：真空環(huán)境或惰性氣體保護(hù)環(huán)境，純鉬較高耐高溫1200度，鉬合金較高耐高溫1700度。

12、鉬材料的適用行業(yè)及用途：鉬材料主要用在真空高溫行業(yè)，電子行業(yè)，藍(lán)寶石熱場及航空航天制造行業(yè)等，鉬材料經(jīng)過變形量達(dá)到60%以上的軋制加工后，鉬的密度基本上接近于理論密度，因此其具有高強(qiáng)度，內(nèi)部組織均勻和優(yōu)良的抗高溫蠕變性能，被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)藍(lán)寶石晶體生長爐內(nèi)的反射屏，蓋板真空爐內(nèi)的反射屏，發(fā)熱帶，連接件，等離子鍍膜用的濺射靶材，耐高溫舟皿等制品。

13、鉬靶材的用途

鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)相關(guān)信息在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞應(yīng)用等。

鉬靶材的應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛，它的原材料是粉末狀的，經(jīng)過凱澤金屬一系列的生產(chǎn)制造，把它變成了現(xiàn)在的鉬靶材工藝品，運(yùn)用到我們的生活中，給我們的生活帶來了更多的便利，讓我們生活質(zhì)量不斷的提升，感謝科學(xué)和大自然的力量，給我們提供無盡的寶藏，我們更要愛護(hù)好我們的生存環(huán)境，與它和諧的生活在起，共建美好的家園。

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